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首先从原理上看晶体的极性面。
如果根据该cif文件确定晶向，通过R0=1.883、原子序数分别为14/6，带入原子坐标可得[SiC4]四面体偶极矩主要为沿-c轴方向。而偶极矩方向是负极指向正极，那可以对应Si面为（000-1），C面为（0001）。
但是,硅四面体中Si原子的一个化学键的取向<0001>对应的晶面为Si面，碳四面体中C原子的一个化学键的取向<000-1>对应的晶面为C面。
从c方向的垂直面将该方向的Si-C键分开，Si的面就是硅面，C的面就是碳面。
Si面为（0001），C面为（000-1）。毕竟Cif文件的坐标系只需要转一下就行。
标准晶圆就是（0001）有几度偏角指向（11-20）。偏角用于台阶流生长碳化硅。如果生长其他的，比如GaN，可以无偏角。
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